意法半導體(tǐ)新推出的SLLIMM™-nano智能功率模塊(IPM)引入新的封裝類型，并集成更多(duō)元器(qì)件，加快300W以下低(dī)功率電(diàn)機驅動器(qì)研發，簡化組裝過程。

3A和(hé)5A 模塊內(nèi)置當前*********的600V超結MOSFET，最大(dà)限度提升空(kōng)氣壓縮機、風扇、泵等設備的能效。各種直列引腳或Z形引腳封裝有(yǒu)助于優化空(kōng)間(jiān)占用率，确保所需的引腳間(jiān)距。內(nèi)部開(kāi)孔選項讓低(dī)價散熱器(qì)的安裝更容易。此外，發射極開(kāi)路輸出分開(kāi)設計(jì)可(kě)簡化PCB闆單路或三路Shunt (分流電(diàn)阻)電(diàn)流監視(shì)走線。

每個(gè)IPM模塊都包含由六支MOSFET組成的三相半橋和(hé)一個(gè)高(gāo)壓栅驅動芯片。新增功能有(yǒu)助于簡化保護電(diàn)路和(hé)防錯電(diàn)路設計(jì)，包括一個(gè)用于檢測電(diàn)流的未使用的運放、用于高(gāo)速錯誤保護電(diàn)路的比較器(qì)和(hé)用于監視(shì)溫度的可(kě)選的NTC (負溫度系數(shù))熱敏電(diàn)阻，還(hái)集成一個(gè)自舉二極管，以降低(dī)物料清單(BOM)成本，簡化電(diàn)路闆布局設計(jì)。智能關斷電(diàn)路可(kě)保護功率開(kāi)關管，欠壓鎖保護(UVLO)預防低(dī)Vcc或Vboot電(diàn)壓引起的功能失效。

超結MOSFET在25°C時(shí)通(tōng)态電(diàn)阻隻有(yǒu)1.0Ω，最大(dà) 1.6Ω ，低(dī)電(diàn)容和(hé)低(dī)栅電(diàn)荷可(kě)最大(dà)限度降低(dī)通(tōng)态損耗和(hé)開(kāi)關損耗，從而提升20kHz以下硬開(kāi)關電(diàn)路的能效，包括各種工業電(diàn)機驅動器(qì)，準許低(dī)功率應用無需使用散熱器(qì)。此外，優化的開(kāi)關di/dt和(hé)dV/dt上(shàng)升速率确保EMI幹擾處于一個(gè)較低(dī)的級别，可(kě)以進一步簡化電(diàn)路的設計(jì)布局。

新模塊的最高(gāo)額定結溫是150°C，取得(de)了UL 1557認證，電(diàn)絕緣級别高(gāo)達1500Vrms/min。